Schottky power diodes have relatively low blocking voltages on the order of 50. Diese dioden sind mit niedriger durchlassspannungsabfall im vergleich zu den gewohnlichen silizium pn ubergang dioden.
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Betrage in einer schottky diode betragt etwa 100 ps fur die kleinen dioden und etwa 10 ns an den ausgangsdioden.
Schottky diode niedriger spannungsabfall. Der spannungsabfall der bei durchlassstromfluss in der diode auftritt. In schottky diode a semiconductormetal junction is formed between a semiconductor and a metal thus creating a schottky barrier. Schottky diode sbd eine diode mit dem gleichrichtenden charakter diodencharakter eines schottky ubergangs in dem ein metall und ein halbleiter in kontakt zueinander stehen.
The n type semiconductor acts as a cathode and the metal side acts as the anode of the diode. Schottky diodes and rectifiers manufactured by vishay a global leader for semiconductors and passive electronic components. Der spannungsabfall kann irgendwo zwischen 015 und 04 volt bei niedrigen stromen zu sein verglichen mit den 06 volt fur eine siliziumdiode.
Folglich wird eine schottky diode wenig storungen. In einer gewohnlichen diode dass mehr als 100 ns. Geringe warmeentwicklung in der diode.
Je niedriger die durchlassspannung ist umso geringer ist der stromverbrauch. Blocking voltages than 100 v can be prepared by one between the schottky contact 5 and the substrate 1 lying intermediate layer 3 to reach for example amorphous silicon the amorphous silicon layer also allows for an increase in the substrate doping so that the bulk resistance can be reduced.
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